石墨爐原子化器構(gòu)成

　　石墨爐原子化器是由石墨爐體和石墨爐加熱控制電源組成,。石墨爐體又由石墨管、石墨錐和帶有水冷卻的電極組成,，并可在石墨管內(nèi),、外通有氬氣,，而內(nèi)外氣受控于計(jì)算機(jī)。

　　石墨管內(nèi)可注入試樣,，可實(shí)現(xiàn)由室溫升至3000℃,。

　　石墨爐電源加熱程序設(shè)置：

　　計(jì)算機(jī)控制的加熱電源程序從室溫升到3000℃可分成四個(gè)大步驟,，即：干燥階段（又可分成8段）、灰化階段（也可分成8段）,、原子化階段,、清除階段——其中每一段可以選斜坡，也可以選階躍,。但在每一大步驟中至少要選一段,。

　　1 四大步驟選擇的基本原則：

　　1.1避免試樣暴沸，出氣泡,；

　　1.2防止待測(cè)元素在原子化前丟失,；

　　1.3選擇合適的原子化溫度；

　　1.4降低背景吸收,。

　　2,、四大步驟：

　　2.1干燥階段：

　　目的是使樣品干燥而不丟失。

　　*溫度的設(shè)定：

　　設(shè)置原則是干燥的低溫低于氣化溫度的20%——30%,干燥的高溫是高于氣化溫度的20%——30%,。

　　例水溶液為 80℃——120℃ 斜坡

　　90℃——95℃ 階躍

　　后者為略低于氣化溫度,。

　　*時(shí)間的設(shè)定：

　　每微升試樣在100℃左右需要2——3秒鐘蒸發(fā)。對(duì)于10μl的樣品標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間30s,。但對(duì)含大量共存物質(zhì)的試樣,，干燥時(shí)間應(yīng)該60s為好！

　　注意：暴沸和冒泡,。

　　2.2灰化階段：

　　目的是去除共存有機(jī)物和低沸點(diǎn)無(wú)機(jī)物——以此來(lái)減少原子化階段共存物和煙霧（背景吸收）的干擾,。

　　*灰化溫度的設(shè)定：

　　范圍：150℃——1500℃

　　經(jīng)常在 400℃——700℃以下

　　灰化溫度影響背景吸收，影響原子吸收靈敏度：合適的溫度, 背景吸收可以減小, 靈敏度可以增大,；不合適的溫度 , 背景吸收可能增大, 靈敏度可能減小,。

　　*灰化時(shí)間的設(shè)定：

　　灰化時(shí)間與試樣體積有關(guān)，例如10μl的試樣灰化時(shí)間約為30s,。對(duì)于水樣通常不用階躍方式,，但對(duì)于粘性大的試樣應(yīng)當(dāng)用斜坡方式可避免暴沸、氣泡和其它不正?，F(xiàn)象,。

　　2.3原子化階段：

　　目的是在這一階段中產(chǎn)生原子化，減少和消除背景：

　　*選擇原子化溫度要恰到好處：

　　a 不能太高,，太高會(huì)使重復(fù)性變差（低溫元素）,；又對(duì)石墨爐壽命不利；

　　b 不能太低,，太低使原子化不完全,，產(chǎn)生記憶，重復(fù)性也變差,，靈敏度也降低,。

　　*選擇合適的原子化時(shí)間：

　　a 過(guò)短,，吸收信號(hào)回不到基線產(chǎn)生記憶；

　　b 不能過(guò)長(zhǎng),，應(yīng)≤10s,，太長(zhǎng)對(duì)石墨管壽命有較大的損害（一般為 3—5秒適宜）。

　　原子化溫度選擇：

　　一般來(lái)說(shuō)要根據(jù)元素原子化屬于哪一個(gè)溫度段來(lái)選擇：

　　a低溫元素：≤2000℃（原子化溫度）例Na ,K, Pb, Cs ,Cu,Ag, Au,Zn,Cd,Hg,Ga, In, Tl ,As, Sb, Bi ,Se, Te, Mg, Mn, I ,。

　　b中溫元素：2000℃~2500℃（原子化溫度）例Li, Sn, Ca, Sr, Rh, Pt, Be, Sm, Eu ,Tm, Yb, S, Cr ,Fe, Co, Ni ,。

　　c高溫元素：≥2500℃（原子化溫度）例Ba, Ru, Ir, V ,Mo, U, Ti, So, Y, La, Ce, Pr, Nd, Gd ,Tb, Dy, Ho ,Er, Lu, Si ,Ge, B, Re, P 。

　　以上溫度分法不是的,！

　　有時(shí)又在元素選原子化溫度時(shí)要用光控大功率升溫,，即就是用比原子化溫度高得多的功率（大功率）升溫，當(dāng)達(dá)到了原子化溫度時(shí),，系統(tǒng)回復(fù)到普通功率供電方式使石墨爐在原子化溫度上保持熱平衡——這種升溫方式即為光控大功率升溫,。

　　光控設(shè)計(jì)在1500℃~3000℃有效。

　　原子化時(shí)間選擇：

　　根據(jù)待測(cè)元素的原子化溫度來(lái)選擇：

　　中低熔點(diǎn)元素即原子化溫度低于2600℃的元素原子化的時(shí)間3~5s,；

　　高熔點(diǎn)元素即原子化溫度高于2600℃以上的元素原子化時(shí)間4~6s。

　　有光控時(shí)適當(dāng)縮短時(shí)間,，同時(shí)降低原子化溫度100—200℃,。

　　* 特例：盡管原子吸收信號(hào)回到了基線，但在清除階段仍能出相當(dāng)高的原子吸收峰,。——此時(shí)應(yīng)是石墨錐污染,，應(yīng)空燒多次去除，去不掉時(shí)換新的,。

　　* 背景值大時(shí),，應(yīng)通以載氣去除！

　　* 信號(hào)回不到基線（濃度大時(shí)）,，減小注入量,，加大載氣流量。

　　2.4清除階段：

　　目的是清除該未知樣（標(biāo)樣）一切物（殘存物）,。

　　清除溫度選擇：根據(jù)該樣原子化溫度加100~200℃

　　清除時(shí)間選擇：根據(jù)污染的程度,，一般設(shè)定為3~5s。

　　*清除階段一定要加載氣,，而且載氣應(yīng)盡量選大些的,。